Analisis dan Perancangan Rangkaiaan Snubber Untuk Mereduksi Overshoot dan Ringing Tegangan Pada Sic MOSFET

Sapuan, Sapuan (2026) Analisis dan Perancangan Rangkaiaan Snubber Untuk Mereduksi Overshoot dan Ringing Tegangan Pada Sic MOSFET. Bachelor thesis, Institut Teknologi Kalimantan.

	Text 04221017_cover.pdf Download (310kB)
	Text 04221017_cover.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (310kB) | Request a copy
	Text 04221017_statement_of_authenticity.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (224kB) | Request a copy
	Text 04221017_publishing_agreement.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (264kB) | Request a copy
	Text 04221017_approval_sheet.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (228kB) | Request a copy
	Text 04221017_preface.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (268kB) | Request a copy
	Text 04221017_abstract_id.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (287kB) | Request a copy
	Text 04221017_abstract_en.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (287kB) | Request a copy
	Text 04221017_table_of_content.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (306kB) | Request a copy
	Text 04221017_illustrations.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (365kB) | Request a copy
	Text 04221017_tables.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (287kB) | Request a copy
	Text 04221017_notations.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (318kB) | Request a copy
	Text 04221017_chapter_1.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (419kB) | Request a copy
	Text 04221017_chapter_2.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (742kB) | Request a copy
	Text 04221017_chapter_3.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (735kB) | Request a copy
	Text 04221017_chapter_4.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (1MB) | Request a copy
	Text 04221017_conclusions.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (405kB) | Request a copy
	Text 04221017_bibliography.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (262kB) | Request a copy
	Text 04221017_enclosure.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (467kB) | Request a copy
	Text 04221017_paper.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (729kB) | Request a copy
	Text 04221017_presentation.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (637kB) | Request a copy
	Text 04221017_Form. TA-020.pdf.pdf Restricted to Repository staff only until 4 October 2028. Download (163kB) | Request a copy

Abstract

Fenomena Overshoot dan Ringing merupakan permasalahan yang umum terjadi pada proses Switching konverter daya akibat interaksi antara elemen parasitik rangkaian dengan karakteristik perangkat semikonduktor. Kondisi tersebut dapat meningkatkan tegangan stres pada MOSFET, memperbesar rugi Switching, serta menurunkan keandalan sistem. Penelitian ini bertujuan menganalisis karakteristik Switching Silicon MOSFET dan Silicon Carbide (SiC) MOSFET, serta mengevaluasi efektivitas rangkaian RC snubber dalam mereduksi Overshoot dan Ringing pada rangkaian half-bridge. Penelitian dilakukan menggunakan simulasi LTspice pada konfigurasi half-bridge dengan beban resistif dan resistif-induktif. Pengujian dilakukan pada tegangan masukan 100 V, 200 V, 300 V, dan 400 V melalui kondisi tanpa snubber, penambahan resistor snubber, kapasitor snubber, dan kombinasi RC snubber. Parameter yang dianalisis meliputi tegangan Drain-Source (VDS), tegangan puncak, persentase Overshoot, karakteristik Ringing, settling time, serta arus Drain dan arus beban selama proses Switching. Hasil penelitian menunjukkan bahwa baik Silicon MOSFET maupun SiC MOSFET mengalami fenomena Overshoot dan Ringing yang dipengaruhi oleh induktansi serta kapasitansi parasitik rangkaian. Penggunaan Rsnub mampu meningkatkan redaman osilasi, namun belum memberikan penurunan tegangan Overshoot yang signifikan. Sebaliknya, penerapan RC snubber menghasilkan karakteristik Switching yang lebih baik melalui penurunan tegangan Overshoot, pengurangan amplitudo Ringing, dan waktu redaman yang lebih singkat dibandingkan kondisi tanpa snubber. Selain itu, SiC MOSFET menunjukkan kemampuan Switching yang lebih cepat dibandingkan Silicon MOSFET, sedangkan Silicon MOSFET menghasilkan fenomena transien arus yang lebih dominan selama proses komutasi. Hasil penelitian menunjukkan bahwa konfigurasi RC snubber efektif meningkatkan kualitas proses Switching pada kedua jenis MOSFET dengan karakteristik peredaman yang berbeda sesuai sifat masing-masing perangkat.

Item Type:	Thesis (Bachelor)
Subjects:	T Technology > T Technology (General) T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions:	Jurusan Teknologi Industri dan Proses > Teknik Elektro
Depositing User:	Sapuan Sapuan
Date Deposited:	17 Jul 2026 06:51
Last Modified:	17 Jul 2026 06:51
URI:	http://repository.itk.ac.id/id/eprint/26833

Actions (login required)

View Item